薄膜濺鍍靶材

半導體級薄膜濺鍍靶材

 

專為先進物理氣相沉積 (PVD) 製程設計。我們提供多種金屬與特殊合金靶材，包括鋁、鈦、鎳釩、銅及銅錳合金，廣泛應用於晶圓製造中的互連線、先進封裝製程。我們的靶材具有極高的相對密度、均勻的微觀結構與優異的表面潔淨度，能有效減少濺鍍過程中的微粒產生，確保晶圓薄膜沉積的卓越品質與良率。 

 

 

 規格 ( 半導體行業規範)

• 材質 : Cu, CuMn, Al, Ti, NiV
• 純度 : 3N5 至 6N (依材料而異)
• 相對密度 : ≥ 99.5%
• 表面處理 : Ra < 0.4 µm, 潔淨真空包裝